PHB-5R0H305-R

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PHB-5R0H305-R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Eaton
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

PHB-5R0H305-R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

PHB-5R0H305-R
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
260
POWERSTOR
BULK
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

PHB-5R0H305-R
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業(yè)執(zhí)照
5680
Eaton
電容器
14+
-
全新原裝，公司現(xiàn)貨庫存

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功能描述
超級電容/超級電容器 CAP,3.0F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ
RoHS
否
制造商
Murata
電容
350 mF
容差
電壓額定值
4.2 V
ESR
60 mOhms
工作溫度范圍
- 30 C to + 70 C
端接類型
SMD/SMT
引線間隔
尺寸
18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H

PHB-5R0H305-R 技術參數(shù)

PHB-5R0H255-R 功能描述:2.5F Supercap 5V Radial, Can, Horizontal 200 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.906" L x 0.839" W (23.00mm x 21.30mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電容:2.5F 容差:-10%，+30% 電壓 - 額定:5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:200 毫歐 @ 100Hz 不同溫度時的使用壽命:70°C 時為 1000 小時端接:通孔安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，罐狀，水平引線間距:0.209"（5.30mm）大小/尺寸:0.906" 長 x 0.839" 寬（23.00mm x 21.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.433"（11.00mm）工作溫度:-25°C ~ 70°C 標準包裝:100 PHB-5R0H155-R 功能描述:1.5F Supercap 5V Radial, Can, Horizontal 330 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.866" L x 0.681" W (22.00mm x 17.30mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電容:1.5F 容差:-10%，+30% 電壓 - 額定:5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:330 毫歐 @ 100Hz 不同溫度時的使用壽命:70°C 時為 1000 小時端接:通孔安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，罐狀，水平引線間距:0.465"（11.80mm）大小/尺寸:0.866" 長 x 0.681" 寬（22.00mm x 17.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.354"（9.00mm）工作溫度:-25°C ~ 70°C 標準包裝:100 PHB47NQ10T,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:66nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:166W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB45NQ15T,118 功能描述:MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45.1A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1770pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB45NQ10T,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB96NQ03LT,118 PHC.0B.302.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD35 PHC.0B.303.CLLD35Z PHC.0B.303.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD52Z PHC.0B.304.CLLD21 PHC.0B.304.CLLD42 PHC.0B.304.CLLD42Z PHC.0B.304.CLLD52 PHC.0B.304.CLLD56Z PHC.0B.304.CYMD42Z PHC.0B.305.CLLD31Z PHC.0B.305.CLLD42 PHC.0B.305.CLLD42Z PHC.0B.305.CLLD52Z PHC.0B.305.CLLD56 PHC.0B.305.CYMD25Z