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PH635

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  • PH635-S8
    PH635-S8

    PH635-S8

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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PH635 技術(shù)參數(shù)
  • PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78.7A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包裝:- 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:隔離模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:400V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:3.4A 功率（W） - 制造系列:50W 電壓 - 隔離:3kV（3000V） 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 特性:遠(yuǎn)程開(kāi)/關(guān)，OCP，OTP，OVP 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:模塊 大小/尺寸:3.85" 長(zhǎng) x 2.83" 寬 x 0.50" 高（86.0mm x 72.0mm x 12.7mm） 工作溫度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率（W） - 最大值:50W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:94.5A（Tc） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH4530L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1972pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH7323H PH7323L PH7324H PH7324K PH7513P PH7523P PH7523R PH75A28012 PH75A28015 PH75A28024 PH75A28028 PH75A2803.3 PH75A28048 PH75A2805 PH75F110-12 PH75F110-15 PH75F110-2 PH75F110-24
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