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PH2S15-103GB3.9/2.8-U

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PH2S15-103GB3.9/2.8-U 技術(shù)參數(shù)
  • PH2925U,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:92nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6150pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 25A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH28F320W18BE60A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 60NS VFBGA PH2731-75L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 2.7-3.1GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:8.16dB ~ 8.86dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6 PH2729-25M 功能描述:TRANS BIPOLAR 25W 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:9.2dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6 PH2729-130M 功能描述:TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:63V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:9.73dB ~ 8.85dB 功率 - 最大值:130W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12.5A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6 PH300A28048/T PH300F110-12 PH300F110-15 PH300F110-2 PH300F110-24 PH300F110-28 PH300F110-3 PH300F110-5 PH300F24-12 PH300F24-28 PH300F280-12 PH300F280-15 PH300F280-2 PH300F280-24 PH300F280-28 PH300F280-3 PH300F280-5 PH300F48-12
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