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參數資料
| 型號： | NTD20P06LT4 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
| 中文描述： | 15.5 A, 60 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | NTD20P06LT4 |
NTD20P06L
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK3
CASE 369C01
ISSUE O
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.180
0.025
0.020
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.57
0.63
0.51
0.89
3.93
MAX
6.22
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.040
0.050
5.45
1.01
1.27
1
2
3
4
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD20P06LT4G | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
| NTD23N03R | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03R-1 | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03R-1G | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03RG | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NTD20P06LT4G | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD20P06LT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 15.5A D-PAK |
| NTD22 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
| NTD23N03R | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD23N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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