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參數(shù)資料
| 型號： | NTD20N06L-1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level |
| 中文描述： | 20 A, 60 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | NTD20N06L-1 |
NTD20N06L
http://onsemi.com
3
2
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
10
1000
10000
0
5
20
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
0
0.065
0.055
0.045
20
10
0.035
0.025
0.015
30
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
)
R
D
,
)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
40
50
50
25
0
25
75
125
100
1.6
3.2
2.4
5.6
0
40
30
20
60
10
3
10
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
150
175
V
GS
= 0 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 5 V
30
0.075
0.085
0.065
0.055
0.045
0.015
0.075
0.085
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
40
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
20
0
40
10
30
4
4.8
0.035
0.025
0
20
10
30
40
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
50
100
4
8 V
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
6 V
5 V
1.8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD20N06LT4 | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level |
| NTD20P06L | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
| NTD20P06LG | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
| NTD20P06LT4 | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
| NTD20P06LT4G | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD20N06L-1G | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD20N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD20N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD20N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD20N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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