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參數資料
| 型號： | NTD110N02R |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 12.5 A, 24 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369AA-01, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | NTD110N02R |
NTD110N02R
http://onsemi.com
3
4.2 V
4 V
2.0
1.6
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
50
10
1000
100,000
0
10
100
4
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
2
0.02
10
8
6
0.01
0
4
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
)
R
D
,
)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
175
50
25
0
25
75
125
100
0
4
2
0
15
10
25
5.0
6
50
25
150
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 175
°
C
V
GS
= 4.5 V
175
V
GS
= 0 V
I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V
0.03
0.008
0.006
0
0.014
T
J
= 175
°
C
T
J
= 100
°
C
120
0
210
90
30
180
6
8
0.004
20
160
120
80
40
240
T
J
= 25
°
C
20
100
8
10 V
8 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
4.5 V
5 V
6 V
10,000
I
D
= 110 A
T
J
= 25
°
C
0.002
0.01
0.012
60
100
220
200
140
180
V
GS
= 10 V
1.8
150
75
125
T
J
= 25
°
C
2.6 V
2.4 V
2.8 V
3 V
60
150
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PDF描述 |
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參數描述 |
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