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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE68818-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 表面貼裝NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 14/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | NE68818-T1 |
NE688 SERIES
SCHEMATIC
UNITS
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
C
BEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68819
0.24e-12
0.27e-12
1.12e-9
0.6e-9
0.08e-12
0.3e-12
0.3e-12
0.19e-9
0.5e-9
0.19e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 3 GHz
V
CE
= 1 V to 3 V, I
C
= 1 mA to 10 mA
3/20/97
(1) Gummel-Poon Model
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
3.8e-16
135.7
1
28
0.6
3.8e-15
1.49
12.3
1.1
3.5
0.06
3.5e-16
1.62
0.4
6.14
3.5
0.001
4.2
0.796e-12
0.71
0.38
0.549e-12
0.65
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
0.48
0.56
0
0.75
0
0.75
11.0e-12
0.36
0.65
0.61
50
32e-12
1.11
0
3
1.5e-14
1.22
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Base
Emitter
Collector
L
BX
0.19 nH 1.12 nH
L
B
L
EX
0.19 nH
L
E
0.6 nH
L
CX
0.5 nH
C
CBPKG
0.08 pF
C
CB
0.24 pF
C
CE
0.27 pF
C
CEPKG
0.3 pF
C
BEPKG
0.3 pF
Q1
NE68819 NONLINEAR MODEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68819-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68830-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68833-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68839-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68839R-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68818-T1-A | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68819 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68819-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68819-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68819-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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