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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE68818-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 表面貼裝NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | NE68818-T1 |
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FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
MAG
0.840
0.574
0.440
0.425 -
0.443
0.489
0.534
0.575
0.660
0.728
ANG
-29.900
-94.600
-144.900
162.500
167.400
147.700
133.000
122.900
106.200
92.400
MAG
14.218
9.003
5.274
4.315
2.978
2.263
1.846
1.549
1.190
0.962
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
NE68839
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 5.0 mA
158.000
116.400
91.200
83.200
67.400
54.300
43.100
33.600
17.500
4.100
0.029
0.078
0.105
0.116
0.147
0.178
0.211
0.244
0.308
0.362
74.900
51.400
46.300
46.700
47.900
47.900
46.500
44.400
38.000
29.700
0.937
0.598
0.372
0.315
0.232
0.190
0.177
0.190
0.264
0.365
-17.100
-46.200
-58.000
-61.700
-72.500
-89.500
-111.500
-133.600
-166.000
172.800
0.114
0.444
0.750
0.854
0.991
1.045
1.048
1.040
0.974
0.925
26.904
20.623
17.010
15.705
13.066
9.746
8.074
6.802
5.870
4.245
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 10 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
0.703
0.441
0.378
0.383
0.418
0.468
0.512
0.559
0.638
0.712
-41.700
-117.800
-163.300
-177.500
158.400
142.100
130.300
120.900
105.400
92.600
22.638
11.095
6.015
4.863
3.313
2.505
2.034
1.708
1.312
1.066
149.200
106.400
85.900
79.200
65.600
53.900
43.700
34.800
19.300
5.700
0.027
0.064
0.095
0.112
0.153
0.193
0.231
0.265
0.325
0.370
69.700
54.500
55.900
56.300
55.200
52.200
48.300
44.100
35.200
26.100
0.865
0.432
0.246
0.203
0.145
0.133
0.153
0.191
0.282
0.377
-26.400
-59.100
-71.500
-77.000
-97.200
-126.000
-152.300
-170.400
168.100
154.100
0.232
0.640
0.901
0.956
1.020
1.035
1.034
1.024
0.993
0.954
29.235
22.389
18.015
16.377
12.494
9.985
8.325
7.135
6.061
4.596
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE688 SERIES
Note:
1.Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68819-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68830-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68833-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68839-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68839R-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68818-T1-A | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68819 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68819-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68819-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68819-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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