參數(shù)資料
型號： NE68818-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 10/19頁
文件大小： 231K
代理商： NE68818-T1
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5 GHz
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21
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12
5 GHz
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相關PDF資料
PDF描述
NE68819-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68830-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68833-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68818-T1-A 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68819 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68819-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68819-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68819-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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