參數(shù)資料
型號: NAND512W3A2CZA6E
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述: 512兆位,528 Byte/264字的頁面,1.8V/3V,NAND閃存芯片
文件頁數(shù): 29/51頁
文件大小: 517K
代理商: NAND512W3A2CZA6E
NAND512-A2C
DC and AC parameters
35/51
M
Figure 16.
Equivalent testing circuit for AC characteristics measurement
Table 18.
DC characteristics, 1.8V devices(1)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-8
15
mA
IDD2
Program
-
8
15
mA
IDD3
Erase
-
8
15
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
VDD-0.4
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.4
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.1
V
1.
Leakage currents double on stacked devices.
Ai11085
NAND Flash
CL
2Rref
VDD
2Rref
GND
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAT-3DC-2A+ 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz
NCB-CA55SMPGA1 77 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
NCCA39C-FREQ-OUT23 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.25 MHz - 4 MHz, CMOS/TTL OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A2DN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512W3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512W3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A2SN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6