參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512W3A2CZA6E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 512兆位，528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁(yè)數(shù)： 23/51頁(yè)
文件大?。?/td> 517K
代理商： NAND512W3A2CZA6E
NAND512-A2C
Contents
3/51
6.3
Page Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
6.4
Copy Back Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
6.5
Block Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
6.6
Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
6.7
Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
6.7.1
Write Protection Bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
6.7.2
P/E/R Controller Bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
6.7.3
Error Bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
6.7.4
SR5, SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
6.8
Read Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
7
Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
7.1
Bad Block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
7.2
NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
7.3
Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
7.4
Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
7.5
Error Correction Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
7.6
Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
7.6.1
Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
7.6.2
IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
8
Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
9
Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
10
DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
10.1
Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
10.2
Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
11
Package mechanical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
12
Part numbering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
13
Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAT-3DC-2A+ 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz
NCB-CA55SMPGA1 77 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
NCCA39C-FREQ-OUT23 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.25 MHz - 4 MHz, CMOS/TTL OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A2DN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512W3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512W3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A2SN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
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