參數(shù)資料
型號: NAND512R4A2CZA6F
廠商: 意法半導體
英文描述: 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述: 512兆位,528 Byte/264字的頁面,1.8V/3V,NAND閃存芯片
文件頁數(shù): 39/51頁
文件大?。?/td> 517K
代理商: NAND512R4A2CZA6F
DC and AC parameters
NAND512-A2C
44/51
Figure 26.
Block Erase AC waveform
Figure 27.
Reset AC waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R4A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2CZA6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAT-3DC-2A+ 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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NAND512W3A0AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel
NAND512W3A0AV6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040