參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R4A2CZA6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數(shù)： 1/51頁
文件大小： 517K
代理商： NAND512R4A2CZA6F
February 2007
Rev 1
1/51
1
NAND512R3A2C NAND512R4A2C
NAND512W3A2C NAND512W4A2C
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page,
1.8V/3V, NAND Flash Memories
Features
●
High density NAND Flash memories
–
512 Mbit memory array
–
Cost effective solutions for mass
storage applications
●
NAND interface
–
x8 or x16 bus width
–
Multiplexed Address/ Data
●
Supply voltage: 1.8V, 3.0V
●
Page size
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
–
x16 device: (256 + 8 spare) Words
●
Block size
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
–
x16 device: (8K + 256 spare) Words
●
Page Read/Program
–
Random access:
12s (3V)/15s (1.8V) (max)
–
Sequential access:
30ns (3V)/50ns (1.8V) (min)
–
Page Program time: 200s (typ)
●
Copy Back Program mode
●
Fast Block Erase: 2ms (Typ)
●
Status Register
●
Electronic Signature
●
Chip Enable ‘don’t care’
●
Serial Number option
●
Hardware Data Protection
–
Program/Erase locked during Power
transitions
●
Data integrity
–
100,000 Program/Erase cycles (with
ECC)
–
10 years Data Retention
●
ECOPACK packages
●
Development tools
–
Error Correction Code models
–
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
–
Hardware simulation models
FBGA
TSOP48 12 x 20mm
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
Table 1.
Device summary
Reference
Part Number
NAND512-A2C
NAND512R3A2C
NAND512R4A2C(1)
NAND512W3A2C
NAND512W4A2C(1)
1. x16 organization only available for MCP.
www.st.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R4A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2CZA6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAT-3DC-2A+ 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel
NAND512W3A0AV6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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