型號(hào): | NAND512R4A2CZA6E |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
中文描述: | 512兆位,528 Byte/264字的頁(yè)面,1.8V/3V,NAND閃存芯片 |
文件頁(yè)數(shù): | 49/51頁(yè) |
文件大?。?/td> | 517K |
代理商: | NAND512R4A2CZA6E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NAND512R4A2CZA6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
NAND512R4A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
NAND512W3A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
NAND512W3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
NAT-3DC-2A+ | 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NAND512R4A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
NAND512W3A0AN6 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
NAND512W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
NAND512W3A0AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel |
NAND512W3A0AV6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |