參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R4A2C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 512兆位，528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁(yè)數(shù)： 4/51頁(yè)
文件大?。?/td> 517K
代理商： NAND512R4A2C
Memory array organization
NAND512-A2C
12/51
Figure 5.
Memory array organization
AI07587
Block = 32 Pages
Page = 528 Bytes (512+16)
512 Bytes
Spare
Area
2nd half Page
(256 bytes)
16
Bytes
Block
8 bits
16
Bytes
8 bits
Page
Page Buffer, 512 Bytes
1st half Page
(256 bytes)
Block = 32 Pages
Page = 264 Words (256+8)
256 Words
Spare
Area
Main Area
8
Words
16 bits
8
Words
16 bits
Page Buffer, 264 Words
Block
Page
x8 DEVICES
x16 DEVICES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A2CZA6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAT-3DC-2A+ 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz
NCB-CA55SMPGA1 77 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R4A2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R4A2CZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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