參數(shù)資料
型號(hào): NAND512R3A2CN6F
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述: 512兆位,528 Byte/264字的頁(yè)面,1.8V/3V,NAND閃存芯片
文件頁(yè)數(shù): 42/51頁(yè)
文件大小: 517K
代理商: NAND512R3A2CN6F
NAND512-A2C
Package mechanical
47/51
11
Package mechanical
Figure 32.
TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, package outline
1.
Drawing is not to scale.
TSOP-G
B
e
DIE
C
L
A1
α
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
L1
CP
Table 22.
TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, package mechanical data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.100
0.050
0.150
0.0039
0.0020
0.0059
A2
1.000
0.950
1.050
0.0394
0.0374
0.0413
B
0.220
0.170
0.270
0.0087
0.0067
0.0106
C
0.100
0.210
0.0039
0.0083
CP
0.080
0.0031
D1
12.000
11.900
12.100
0.4724
0.4685
0.4764
E
20.000
19.800
20.200
0.7874
0.7795
0.7953
E1
18.400
18.300
18.500
0.7244
0.7205
0.7283
e
0.500
0.0197
L
0.600
0.500
0.700
0.0236
0.0197
0.0276
L1
0.800
0.0315
α
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CN6F 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CZA6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CZA6F 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film