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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND512R3A2CN6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 20/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | NAND512R3A2CN6F |
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NAND512-A2C
Device operations
27/51
6.8
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and Device Code. To read these codes two steps
are required:
1.
first use one Bus Write cycle to issue the Read Electronic Signature command (90h),
followed by an address input of 00h.
2.
then perform two Bus Read operations – the first will read the Manufacturer Code and
the second, the Device Code. Further Bus Read operations will be ignored.
Refer to Table 12: Electronic Signature, for information on the addresses.
Table 11.
Status Register bits
Bit
Name
Logic Level
Definition
SR7
Write Protection
'1'
Not Protected
'0'
Protected
SR6
Program/ Erase/ Read
Controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
SR5, SR4,
SR3, SR2,
SR1
Reserved
Don’t Care
SR0
Generic Error
‘1’
Error – operation failed
‘0’
No Error – operation successful
Table 12.
Electronic Signature
Part Number
Manufacturer Code
Device code
NAND512R3A2C
20h
36h
NAND512W3A2C
76h
NAND512R4A2C
0020h
0046h
NAND512W4A2C
0056h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R3A2DZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND512R3A2SE06 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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