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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND512R3A2C |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 1/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | NAND512R3A2C |
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February 2007
Rev 1
1/51
1
NAND512R3A2C NAND512R4A2C
NAND512W3A2C NAND512W4A2C
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page,
1.8V/3V, NAND Flash Memories
Features
●
High density NAND Flash memories
–
512 Mbit memory array
–
Cost effective solutions for mass
storage applications
●
NAND interface
–
x8 or x16 bus width
–
Multiplexed Address/ Data
●
Supply voltage: 1.8V, 3.0V
●
Page size
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
–
x16 device: (256 + 8 spare) Words
●
Block size
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
–
x16 device: (8K + 256 spare) Words
●
Page Read/Program
–
Random access:
12s (3V)/15s (1.8V) (max)
–
Sequential access:
30ns (3V)/50ns (1.8V) (min)
–
Page Program time: 200s (typ)
●
Copy Back Program mode
●
Fast Block Erase: 2ms (Typ)
●
Status Register
●
Electronic Signature
●
Chip Enable ‘don’t care’
●
Serial Number option
●
Hardware Data Protection
–
Program/Erase locked during Power
transitions
●
Data integrity
–
100,000 Program/Erase cycles (with
ECC)
–
10 years Data Retention
●
ECOPACK packages
●
Development tools
–
Error Correction Code models
–
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
–
Hardware simulation models
FBGA
TSOP48 12 x 20mm
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
Table 1.
Device summary
Reference
Part Number
NAND512-A2C
NAND512R3A2C
NAND512R4A2C(1)
NAND512W3A2C
NAND512W4A2C(1)
1. x16 organization only available for MCP.
www.st.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W3A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R3A2DZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND512R3A2SE06 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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