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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND04GW3C2AN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/51頁(yè) |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | NAND04GW3C2AN6F |
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4 Bus operations
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
4.5
Write Protect
Write Protect bus operations are used to protect the memory against program or erase
operations. When the Write Protect signal is Low the device will not accept program or erase
operations and so the contents of the memory array cannot be altered. The Write Protect
signal is not latched by Write Enable to ensure protection even during power-up.
4.6
Standby
The memory enters Standby mode by driving Chip Enable, E, High. In standby mode, the
device is deselected, outputs are disabled and power consumption is reduced.
Table 5.
Bus Operations
Bus Operation
E
AL
CL
R
W
WP
I/O0 - I/O7
Command Input
VIL
VIH
Rising
X(1)
Command
Address Input
VIL
VIH
VIL
VIH
Rising
X
Address
Data Input
VIL
VIH
Rising
VIH
Data Input
Data Output
VIL
Falling
VIH
X
Data Output
Write Protect
X
VIL
X
Standby
VIH
XX
X
VIL/VDD
X
1.
WP must be VIH when issuing a Program or Erase command.
Table 6.
Address insertion(1)
Bus Cycle
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1st
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2nd
VIL
A11
A10
A9
A8
3rd
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
4th
A27
A26
A25
A24
A23
A22
A21
A20
5th
VIL
A29
A28
1.
Any additional address input cycles will be ignored.
Table 7.
Address Definitions
Address
Definition
A0 - A11
Column Address
A12 - A18
Page Address
A19 - A29
Block Address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NAND08GAH0FZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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