參數(shù)資料
型號(hào)： NAND04GW3C2AN6F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 32/51頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： NAND04GW3C2AN6F
12 DC and AC parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
Table 20.
AC Characteristics for Operations, VDDQ 3V Devices
(1)
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
3V I/O
Unit
tALLRL1
tAR
Address Latch Low to
Read Enable Low
Read Electronic Signature
Min
20
ns
tALLRL2
Read cycle
Min
20
ns
tBHRL
tRR
Ready/Busy High to Read Enable Low
Min
20
ns
tBLBH1
Ready/Busy Low to
Ready/Busy High
Read Busy time
Max
60
s
tBLBH2
tPROG
Program Busy time
Max
2000
s
tBLBH3
tBERS
Erase Busy time
Max
3
ms
tBLBH4
Reset Busy time, during ready
Max
5
s
tWHBH1
tRST
Write Enable High to
Ready/Busy High
Reset Busy time, during read
Max
20
s
Reset Busy time, during program
Max
40
s
Reset Busy time, during erase
Max
200
s
tCLLRL
tCLR
Command Latch Low to Read Enable Low
Min
15
ns
tDZRL
tIR
Data Hi-Z to Read Enable Low
Min
0
ns
tEHQZ
tCHZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
30
ns
tELQV
tCEA
Chip Enable Low to Output Valid
Max
50
ns
tRHRL
tREH
Read Enable High to
Read Enable Low
Read Enable High Hold time
Min
20
ns
tRHQZ
tRHZ
Read Enable High to Output Hi-Z
Max
30
ns
tRLRH
tRP
Read Enable Low to
Read Enable High
Read Enable Pulse Width
Min
40
ns
tRLRL
tRC
Read Enable Low to
Read Enable Low
Read Cycle time
Min
60
ns
tRLQV
tREA
Read Enable Low to
Output Valid
Read Enable Access time
Max
45
ns
Read ES Access time(2)
tWHBH
tR
Write Enable High to
Ready/Busy High
Read Busy time
Max
60
s
tWHBL
tWB
Write Enable High to Ready/Busy Low
Max
100
ns
tWHRL
tWHR
Write Enable High to Read Enable Low
Min
80
ns
tVHWH
(3)
tWW
Write Protection time
Min
100
ns
tVLWH
Min
100
ns
1.
AC Characteristics for VDDQ 1.8V devices are still to be determined.
2.
ES = Electronic Signature.
3.
WP High to W High during Program/Erase Enable operations.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R3A2CN6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R3A2CN6F 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CN6F 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CZA6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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參數(shù)描述
NAND04GW3C2BN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0BZA5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0FZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0JZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND08GR3B4CZL6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
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