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參數(shù)資料
| 型號： | NAND04GW3C2AN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 29/51頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | NAND04GW3C2AN6F |
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NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
12 DC and AC parameters
12
DC and AC parameters
This section summarizes the operating and measurement conditions, and the DC and AC
characteristics of the device. The parameters in the DC and AC characteristics Tables that
follow, are derived from tests performed under the Measurement Conditions summarized in
Table 16: Operating and AC Measurement Conditions. Designers should check that the
operating conditions in their circuit match the measurement conditions when relying on the
quoted parameters.
The DC and AC characteristics for VDDQ 1.8V devices are not yet available.
Table 16.
Operating and AC Measurement Conditions
Parameter
NAND04GA3C2A,
NAND04GW3C2A
Units
Min
Max
Supply Voltage (VDD)
1.8V, VDDQ devices
1.7
1.95
V
3V, VDDQ devices
2.7
3.6
V
Ambient Temperature (TA)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load Capacitance (CL) (1 TTL GATE and CL)
1.8V VDDQ devices
30
pF
3V, VDDQ devices (2.7 - 3.6V)
50
pF
Input Pulses Voltages
1.8V, VDDQ devices
0VDD
V
3V, VDDQ devices
0.4
2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.8V, VDDQ devices
0.9
V
3V, VDDQ devices
1.5
V
Output Circuit Resistor Rref
8.35
k
Input Rise and Fall Times
5
ns
Table 17.
Capacitance(1)
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
10
pF
CI/O
Input/Output Capacitance
VIL = 0V
10
pF
1.
TA = 25°C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CN6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GW3C2BN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0BZA5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0FZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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