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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GR4A2AN6 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 28/57頁 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND01GR4A2AN6 |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
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DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
Conditions
summarized
in
Designers should check that the operating condi-
tions in their circuit match the measurement condi-
tions when relying on the quoted parameters.
Table 16. Operating and AC Measurement Conditions
Table 17. Capacitance
Note: TA = 25°C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Parameter
NAND Flash
Units
Min
Max
Supply Voltage (VDD)
1.8V devices
1.7
1.95
V
3V devices
2.7
3.6
V
Ambient Temperature (TA)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load Capacitance (CL) (1 TTL GATE and CL)
1.8V devices
30
pF
3V devices (2.7 - 3.6V)
50
pF
3V devices (3.0 - 3.6V)
100
pF
Input Pulses Voltages
1.8V devices
0
VDD
V
3V devices
0.4
2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.8V devices
0.9
V
3V devices
1.5
V
Input Rise and Fall Times
5
ns
Output Circuit Resistors, Rref
8.35
k
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
10
pF
CI/O
Input/Output Capacitance
VIL = 0V
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR4A2AV1 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2AV6 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND04GW3C2AN6F | 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A2CN6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4A2AN6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2AN6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2AN6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2AV1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2AV1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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