參數(shù)資料
型號： NAND01GR4A2AN1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數(shù)： 38/57頁
文件大?。?/td> 916K
代理商： NAND01GR4A2AN1
43/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 30. Read C Operation, One Page AC Waveform
Note: 1. A0-A7 is the address in the Spare Memory area, where A0-A3 are valid and A4-A7 are ‘don’t care’.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWHALL
Data M
Data
Last
tALLRL2
ai08035
tWHBH
tBHRL
50h
Add. M
cycle 1
Add. M
cycle 4
Add. M
cycle 3
Add. M
cycle 2
Busy
Command
Code
Address M Input
Data Output from M to
Last Byte or Word in Area C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND01GR4A2AN6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GR4A2AV1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GR4A2AV6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3C2AN6F 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48
NAND512R3A2CN6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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參數(shù)描述
NAND01GR4A2AN1E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GR4A2AN1F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GR4A2AN1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GR4A2AN6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GR4A2AN6E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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