NVTR4502PT1G

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

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功能描述
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

NVTR4502PT1G 技術(shù)參數(shù)

NVT4556BUKZ 功能描述:SIM Card Interface 12-WLCSP (1.20x1.60) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效應(yīng)用:SIM 卡接口:I2C 電壓 - 電源:1.55 V ~ 3.6 V 封裝/外殼:12-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:12-WLCSP（1.20x1.60）安裝類型:表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NVT4556AUKZ 功能描述:SIM Card Interface 12-WLCSP (1.20x1.60) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效應(yīng)用:SIM 卡接口:I2C 電壓 - 電源:1.55 V ~ 3.6 V 封裝/外殼:12-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:12-WLCSP（1.20x1.60）安裝類型:表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NVT4555UKZ 功能描述:SIM Card Interface 12-WLCSP (1.20x1.60) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 應(yīng)用:SIM 卡接口:- 電壓 - 電源:1.1 V ~ 3.6 V 封裝/外殼:12-UFBGA 供應(yīng)商器件封裝:12-WLCSP（1.20x1.60）安裝類型:表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NVT2010PW,118 功能描述:轉(zhuǎn)換 - 電壓電平 +/-50mA 1.5ns 1-5.5V RoHS:否制造商:Micrel 類型:CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL 傳播延遲時(shí)間:1.9 ns 電源電流:14 mA 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MLF-8 NVT2010BS,118 功能描述:轉(zhuǎn)換 - 電壓電平 BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP RoHS:否制造商:Micrel 類型:CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL 傳播延遲時(shí)間:1.9 ns 電源電流:14 mA 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MLF-8 NWE115DHHN-T931 NWE140DHHN-T911 NWE140DHHN-T921 NWE140DHHN-T931 NWE18DHHN-T911 NWE18DHHN-T921 NWE18DHHN-T931 NWE18DHRN-T941 NWE18DHRN-T9410 NWE18DHRQ-T941 NWE32DHHN-T911 NWE32DHHN-T921 NWE32DHHN-T931 NWE32DHRN-T941 NWE32DHRN-T9410 NWE32DHRQ-T941 NWE-34815-M3 NWE-34815-M4