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NE3210S01-T1B

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NE3210S01-T1B PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • TriQuint Semiconductor
  • 技術(shù)類型
  • pHEMT
  • 頻率
  • 500 MHz to 3 GHz
  • 增益
  • 10 dB
  • 噪聲系數(shù)
  • 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
  • 4 S
  • 漏源電壓 VDS
  • 閘/源擊穿電壓
  • - 8 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 3 A
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 功率耗散
  • 10 W
  • 安裝風(fēng)格
  • 封裝 / 箱體
NE3210S01-T1B 技術(shù)參數(shù)
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