NCP347MTAFTBG

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封裝
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功能描述
電池管理 OVER VLTG PROTECTION
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
電池類型
Li-Ion
輸出電壓
5 V
輸出電流
4.5 A
工作電源電壓
3.9 V to 17 V
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
封裝 / 箱體
VQFN-24
封裝
Reel

NCP347MTAFTBG 技術(shù)參數(shù)

NCP3420MNR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP3420DR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP341MUTBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Controlled Load Switch Soft-Start NCP3418DR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP3418DR2 功能描述:IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:半橋輸入類型:PWM 延遲時(shí)間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M NCP349GEVB NCP349MNAETBG NCP349MNBGTBG NCP349MNBKTBG NCP349MNTBG NCP3520DMR2G NCP3520DMR2GEVB NCP3521DMR2G NCP3521DMR2GEVB NCP360GEVB NCP360MUTBG NCP360MUTXG NCP360SNAET1G NCP360SNAFT1G NCP360SNAIT1G NCP360SNT1G NCP361MUTBG NCP361SNT1G