NAND128W3A0BN6E

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功能描述
閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8)
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
數(shù)據(jù)總線寬度
1 bit
存儲類型
Flash
存儲容量
2 MB
結(jié)構(gòu)
256 K x 8
定時類型
接口類型
SPI
訪問時間
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.3 V
最大工作電流
15 mA
工作溫度
- 40 C to + 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
封裝
Reel

NAND128W3A0BN6E 技術(shù)參數(shù)

NAND128W3A0AN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND128W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND128W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND08GW3F2AN6E 功能描述:IC FLASH 8GBIT SLC 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND08GW3D2AN6E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND16GW3B6DPA6F TR NAND16GW3D2BN6E NAND16GW3F2AN6E NAND256R3A2BZA6E NAND256W3A0AN6 NAND256W3A0AN6E NAND256W3A0AN6F NAND256W3A0BE06 NAND256W3A0BN6E NAND256W3A0BN6F TR NAND256W3A0BZA6E NAND256W3A2BE06 NAND256W3A2BN6E NAND256W3A2BN6F NAND256W3A2BN6F TR NAND256W3A2BNXE NAND256W3A2BZA6E NAND256W3A2BZA6F TR