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NAND01GW3B2CZA6E

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NAND01GW3B2CZA6E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲器
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 576
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲器
  • 閃存
  • 存儲器類型
  • 閃存 - NAND
  • 存儲容量
  • 512M（64M x 8）
  • 速度
  • -
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼
  • 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
  • 供應商設備封裝
  • 48-TSOP
  • 包裝
  • 托盤
  • 其它名稱
  • 497-5040
NAND01GW3B2CZA6E 技術參數(shù)
  • NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ NAND01GW3B2BZA6E 功能描述:閃存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GW3B2AZA6E 功能描述:閃存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GW3B2AN6F 功能描述:閃存 NAND 1 GB RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GW3B2AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 1G (128Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND04GW3B2DN6E NAND04GW3C2BN6E NAND08GAH0BZA5E NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE
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