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NX302100

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    NX302100

    NX302100

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 175000

  • Aavid Thermalloy

  • LED原廠規(guī)格

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務(wù)您

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
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  • 制造商
  • Nuventix
  • 功能描述
  • HEATSINK R150-170 CITIZEN
  • 制造商
  • Nuventix
  • 功能描述
  • Nuventix High-Bay LED Aluminum Heatsink Vosloh-Schwabe Panasonic Citizen CLL050
NX302100 技術(shù)參數(shù)
  • NX3020NAKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.44nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta),1.1W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 NX3020NAKV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 NX3020NAKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 功率 - 最大值:230mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 NX3020NAKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX3020NAK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.44nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300mW(Ta),1.06W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 NX30H-68P/CK-MP(62) NX30H-68P/IDCU-MP NX30H-68P/IDCU-MP(01) NX30H-68P/IDCU-MP(31) NX30H-68P/IDCU-MP(61) NX30H-68P/IDCU-MP(62) NX30P6090UKZ NX30P6093AUKZ NX30TA-15GP NX30TA-15HC NX30TA-15HC(61) NX30TA-15HC(62) NX30TA-15HC1 NX30TA-15HC1(61) NX30TA-15HC1(62) NX30TA-15PAA NX30TA-15PAA(50) NX30TA-25GP
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