NX138BKWX

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
210mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
20pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
266mW（Ta）, 1.33W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
3.5 歐姆 @ 200mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
SC-70
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

NX138BKWX 技術(shù)參數(shù)

NX138BKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:210mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:320mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX138BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:265mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX138AKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX138AKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:325mW (Ta) 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 190mA, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX1255GB-8.000000MHZ 功能描述:8MHz ±50ppm 晶體 12pF 80 歐姆 -10°C ~ 70°C 表面貼裝 4-SMD，無引線（DFN，LCC）制造商:ndk 系列:NX1255GB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:MHz 晶體頻率:8MHz 頻率穩(wěn)定度:±50ppm 頻率容差:±50ppm 負(fù)載電容:12pF ESR（等效串聯(lián)電阻）:80 歐姆工作模式:基諧工作溫度:-10°C ~ 70°C 等級:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）大小/尺寸:0.465" 長 x 0.217" 寬（11.80mm x 5.50mm）高度:0.104"（2.65mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX1BL-15T-KT3B NX1BL-15T-KT3B(05) NX1BL-15T-KT9B NX1BL-15T-KT9B(05) NX1BL-25T-KT3B NX1BL-25T-KT3B(05) NX1BL-25T-KT9B NX1BL-25T-KT9B(05) NX1BL-32T-KT3B NX1BL-32T-KT3B(05) NX1BL-32T-KT9B NX1BL-32T-KT9B(05) NX1P2-1040DT NX1P2-1040DT1 NX1P2-9024DT NX1P2-9024DT1 NX1W-ADB21 NX1W-CIF01