NS12575T220MN

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NS12575T220MN
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Taiyo Yuden
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

NS12575T220MN
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TAIYO
SMD
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現(xiàn)貨??！

NS12575T220MN
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
266000
TAIYO
SMD
15+Rohs
-
一級質(zhì)量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

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功能描述
固定電感器 INDCTR SMD HI CUR 22uH 20%
RoHS
否
制造商
AVX
電感
10 uH
容差
20 %
最大直流電流
1 A
最大直流電阻
0.075 Ohms
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C
自諧振頻率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
6.6 mm x 4.45 mm

NS12575T220MN 技術(shù)參數(shù)

NS12575T1R2NN 功能描述:1.2μH Shielded Wirewound Inductor 9.15A 6.96 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.2μH 容差:±30% 額定電流:9.15A 電流 - 飽和值:18.08A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:6.96 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:101.7MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T151MN 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 1.51A 193.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:150μH 容差:±20% 額定電流:1.51A 電流 - 飽和值:2.09A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:193.2 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:3.4MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T150MN 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 5.22A 22.08 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:15μH 容差:±20% 額定電流:5.22A 電流 - 飽和值:6.54A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:22.08 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:14MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T102MN 功能描述:1mH Shielded Wirewound Inductor 680mA 1.112 Ohm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1mH 容差:±20% 額定電流:680mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.112 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:1.4MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T101MNV 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 2.01A 132 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100μH 容差:±20% 額定電流:2.01A 電流 - 飽和值:2.64A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:132 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:3.9MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T470MN NS12575T470MNV NS12575T5R6NN NS12575T5R6NNV NS12575T680MN NS12575T680MNV NS12575T6R8NN NS12575T6R8NNV NS12-ATT01 NS12-KBA04 NS12-KBA05 NS12-KBA05N NS12-TS00B-V2 NS12-TS00-V2 NS12-TS01B-V2 NS12-TS01B-V2-HB NS12-TS01-V2 NS1501