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NRV2010T4R7MGFV

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
  • NRV2010T4R7MGFV
    NRV2010T4R7MGFV

    NRV2010T4R7MGFV

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Taiyo Yuden

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
NRV2010T4R7MGFV PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 4.7μH Shielded Wirewound Inductor 820mA 320 mOhm Nonstandard
  • 制造商
  • taiyo yuden
  • 系列
  • NRV
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 4.7μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 820mA
  • 電流 - 飽和值
  • 760mA
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 320 毫歐
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 100kHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標準
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.039"(1.00mm)
  • 標準包裝
  • 1
NRV2010T4R7MGFV 技術參數
  • NRV2010T4R7MGF 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 820mA 320 mOhm Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:820mA 電流 - 飽和值:760mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):320 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-25°C ~ 120°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 NRV2010T3R3MGFV 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1A 250 mOhm Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:880mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):250 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 NRV2010T3R3MGF 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1A 250 mOhm Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:880mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):250 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-25°C ~ 120°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 NRV2010T2R2MGFV 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 175 mOhm Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):175 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 NRV2010T2R2MGF 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 175 mOhm Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NRV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):175 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-25°C ~ 120°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 NRV2012T2R2MGFV NRV2012T3R3MGF NRV2012T3R3MGFV NRV2012T4R7MGF NRV2012T4R7MGFV NRV3012T100M NRV3012T100MV NRV3012T1R0N NRV3012T1R0NV NRV3012T1R5N NRV3012T1R5NV NRV3012T2R2M NRV3012T2R2MV NRV3012T3R3M NRV3012T3R3MV NRV3012T4R7M NRV3012T4R7MV NRV3012T6R8M
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