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NP1800SBMCT3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • NP1800SBMCT3G
    NP1800SBMCT3G

    NP1800SBMCT3G

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2716

  • ON Semiconductor

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務(wù)您!

  • NP1800SBMCT3G
    NP1800SBMCT3G

    NP1800SBMCT3G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ON Semiconductor

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • NP1800SBMCT3G
    NP1800SBMCT3G

    NP1800SBMCT3G

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 69200

  • ON

  • SMB

  • 18+

  • -
  • 全新原裝,優(yōu)勢庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
NP1800SBMCT3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 硅對稱二端開關(guān)元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE
  • RoHS
  • 制造商
  • Bourns
  • 轉(zhuǎn)折電流 VBO
  • 40 V
  • 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO
  • 800 mA
  • 不重復(fù)通態(tài)電流
  • 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM
  • 25 V
  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下)
  • 保持電流(Ih 最大值)
  • 50 mA
  • 開啟狀態(tài)電壓
  • 5 V
  • 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO
  • 120 pF
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AA
NP1800SBMCT3G 技術(shù)參數(shù)
  • NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):42 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):30 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):130 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP20P04SLG-E1-AY NP20P06SLG-E1-AY NP2100SAMCT3G NP2100SAT3G NP2100SBMCT3G NP2100SBT3G NP2100SCMCT3G NP2100SCT3G NP22N055SHE-E1-AY NP22N055SLE-E1-AY NP2300SAMCT3G NP2300SAT3G NP2300SBMCT3G NP2300SBT3G NP2300SCMCT3G NP2300SCT3G NP23N06YDG-E1-AY NP2600SAMCT3G
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