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NLV32T1R8JPF

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  • NLV32T1R8JPF
    NLV32T1R8JPF

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • NLV32T1R8JPF
    NLV32T1R8JPF

    NLV32T1R8JPF

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • NLV32T1R8JPF
    NLV32T1R8JPF

    NLV32T1R8JPF

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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NLV32T1R8JPF 技術(shù)參數(shù)
  • NLV32T-1R8J-EFD 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:900 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-1R8J-EF 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 900 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.8μH 容差:±5% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:900 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:80MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-1R5J-PF 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±5% 額定電流:370mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:85MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-1R5J-EFD 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±5% 額定電流:370mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:85MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-1R5J-EF 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±5% 額定電流:370mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:85MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-221J-PFD NLV32T-270J-EF NLV32T-270J-EFD NLV32T-270J-PF NLV32T-270J-PFD NLV32T-271J-EF NLV32T-271J-EFD NLV32T-271J-PF NLV32T-271J-PFD NLV32T-2R2J-EF NLV32T-2R2J-EFD NLV32T-2R2J-PF NLV32T-2R2J-PFD NLV32T-2R7J-EF NLV32T-2R7J-EFD NLV32T-2R7J-PF NLV32T-2R7J-PFD NLV32T-330J-EF
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