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NLV32T-R12J-EFD

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • NLV32T-R12J-EFD
    NLV32T-R12J-EFD

    NLV32T-R12J-EFD

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
NLV32T-R12J-EFD PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 120nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 220 mOhm Max 1210 (3225 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • NLV-EFD
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類(lèi)型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 120nH
  • 容差
  • ±5%
  • 額定電流
  • 450mA
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 無(wú)屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 220 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • 30 @ 25.2MHz
  • 頻率 - 自諧振
  • 500MHz
  • 等級(jí)
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 105°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • 25.2MHz
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1210（3225 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.094"（2.40mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
NLV32T-R12J-EFD 技術(shù)參數(shù)
  • NLV32T-R12J-EF 功能描述:120nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 220 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:120nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:220 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:500MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:25.2MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R10J-PF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 440 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:440 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:28 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:700MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R10J-EFD 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 440 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:440 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:28 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:700MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R10J-EF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 440 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:440 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:28 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:700MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-8R2J-PF 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 2 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.2μH 容差:±5% 額定電流:170mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:2 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:35MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R18J-PFD NLV32T-R22J-EF NLV32T-R22J-EFD NLV32T-R22J-PF NLV32T-R22J-PFD NLV32T-R27J-EF NLV32T-R27J-EFD NLV32T-R27J-PF NLV32T-R27J-PFD NLV32T-R33J-EF NLV32T-R33J-EFD NLV32T-R33J-PF NLV32T-R33J-PFD NLV32T-R39J-EF NLV32T-R39J-EFD NLV32T-R39J-PF NLV32T-R39J-PFD NLV32T-R47J-EF
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免責(zé)聲明：以上所展示的NLV32T-R12J-EFD信息由會(huì)員自行提供，NLV32T-R12J-EFD內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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