參數(shù)資料
型號： SI7601DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 199K
代理商： SI7601DN
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si7601DN
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
1.1
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≤
5 V, V
GS
=
4.5 V
187
A
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
11 A
0.013
0.016
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
8.9 A
0.021
0.025
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
10 V, I
D
=
11 A
48
31.7
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
6 A
0.85
0.80
V
Input Capacitance
C
iss
1613
1870
Output Capacitance
C
oss
491
490
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
DS
=
10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
382
460
pF
V
DS
=
10 V, V
GS
=
5 V, I
D
=
11 A
18
18
Total Gate Charge
Q
g
17
16.2
Gate-Source Charge
Q
gs
4.1
4.1
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
10 V, V
GS
=
4.5 V, I
D
=
11 A
4.8
4.8
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 74145
S-70044
Rev. B, 22-Jan-07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7664DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7705DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI7802DN N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
SI7806BDN N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7806BDN-T1-E3 N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7601DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7601DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7606DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7611DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 18A 39W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si7613DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 35A 52.1W 8.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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