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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT58V1MV18DT-10 |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | MT58V1MV18DT-10 |
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18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36
PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM
18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L1MY18D_16_D.fm – Rev. D, Pub 2/03
30
2003 Micron Technology, Inc.
Table 26:
165-Ball FBGA Boundary Scan Order (x32)
BIT#
SIGNAL NAME
BALL ID
BIT#
SIGNAL NAME
BALL ID
1
MODE (LB0#)
1R
39
CLK
6B
2
SA
6N
40
NC
11B
3
SA
11P
41
NC
1A
4
SA
8R
42
CE2#
6A
5
SA
8P
43
BWa#
5B
6
SA
9R
44
BWb#
5A
7
SA
9P
45
BWc#
4A
8
SA
10R
46
BWd#
4B
9
SA
10P
47
CE2
3B
10
SA
11R
48
CE#
3A
11
ZZ
11H
49
SA
2A
12
NF
11N
50
SA
2B
13
DQa
11M
51
NC
1B
14
DQa
11L
52
NF
1C
15
DQa
11K
53
DQc
1D
16
DQa
11J
54
DQc
1E
17
DQa
10M
55
DQc
1F
18
DQa
10L
56
DQc
1G
19
DQa
10K
57
DQc
2D
20
DQa
10J
58
DQc
2E
21
DQb
11G
59
DQc
2F
22
DQb
11F
60
DQc
2G
23
11E
61
DQd
1J
24
DQb
11D
62
DQd
1K
25
DQb
10G
63
DQd
1L
26
DQb
10F
64
DQd
1M
27
DQb
10E
65
DQd
2J
28
DQb
10D
66
DQd
2K
29
NF
11C
67
DQd
2L
30
NC
11A
68
DQd
2M
31
SA
10B
69
NF
1N
32
SA
10A
70
SA
3P
33
ADV#
9A
71
SA
3R
34
ADSP#
9B
72
SA
4P
35
ADSC#
8A
73
SA
4R
36
OE# (G#)
8B
74
SA1
6P
37
BWE#
7A
75
SA0
6R
38
GW#
7B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MT58V1MV18FT-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MT58V512V32D | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:16Mb SYNCBURST⑩ SRAM |
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