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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48LC4M32LFB5-10ES:G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 6213K |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
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128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
36
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Figure 34: WRITE With Auto Precharge Interrupted by a WRITE
DON’T CARE
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
WRITE - AP
BANK n
NOP
DIN
d + 1
DIN
d
DIN
a + 1
DIN
a + 2
DIN
a
DIN
d + 2
DIN
d + 3
NOP
T7
BANK n
BANK m
ADDRESS
NOP
NOTE: 1. DQM is LOW.
BANK n,
COL a
BANK m,
COL d
WRITE - AP
BANK m
Internal
States
t
Page Active
WRITE with Burst of 4
Interrupt Burst, Write-Back
Precharge
Page Active
WRITE with Burst of 4
Write-Back
WR - BANK n
tRP - BANK n
t WR - BANK m
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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