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參數(shù)資料
| 型號： | MT48LC4M32LFB5-10ES:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 22/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 6213K |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
29
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 25: WRITE to PRECHARGE
DQM
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T0
COMMAND
ADDRESS
BANK a,
COL n
T5
NOP
WRITE
PRECHARGE
NOP
DIN
n
DIN
n + 1
ACTIVE
t RP
BANK
(a or all)
t WR
BANK a,
ROW
DQM
DQ
COMMAND
ADDRESS
BANK a,
COL n
NOP
WRITE
PRECHARGE
NOP
DIN
n
DIN
n + 1
ACTIVE
t RP
DON’T CARE
BANK
(a or all)
t WR
NOTE:
DQM could remain LOW in this example if the WRITE burst is a fixed length
of two.
BANK a,
ROW
T6
NOP
tWR@ tCK 15ns
tWR@ tCK < 15ns
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| MT4JSF6464HIY-80BXX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4JSF6464HY-1G4XX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4LC16M4A7DJ-6S | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|
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