參數(shù)資料
型號(hào)： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 61/61頁(yè)
文件大小： 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
9
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Mode Register Definition
Preliminary
The mode register must be loaded when all banks are idle, and the controller must wait
the specified time before initiating the subsequent operation. Violating either of these
requirements will result in unspecified operation.
Burst Length
Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, with the burst length being
programmable, as shown in Figure 4, "Mode Register Definition," on page 11. The burst
length determines the maximum number of column locations that can be accessed for a
given READ or WRITE command. Burst lengths of 1, 2, 4, or 8 locations are available for
both the sequential and the interleaved burst types.
Reserved states should not be used, as unknown operation or incompatibility with
future versions may result.
When a READ or WRITE command is issued, a block of columns equal to the burst
length is effectively selected. All accesses for that burst take place within this block,
meaning that the burst will wrap within the block if a boundary is reached. The block is
uniquely selected by A0–A8 when the burst length is set to two; by A2–A8 when the burst
length is set to four; and by A3–A8 when the burst length is set to eight.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT48LC4M32TG-10 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
MT48V8M16LFB4-8XT 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
MT48LC4M32LFB5-10ES:G 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90
MT48V4M32TG-8XT 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT48H8M16LFF3-7E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
MT48H8M16LFF4-10 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-10 IT 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-8 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-8 IT 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*