參數(shù)資料
型號(hào)： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 48/61頁
文件大?。?/td> 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
52
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Preliminary
Figure 38:
Single READ – With Auto Precharge
Notes:
1. For this example, BL = 4, CL = 2, and the READ burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. A9 and A11 are “Don’t Care.”
3. PRECHARGE command not allowed or tRAS would be violated.
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRCD
CAS Latency
tRC
DQMH, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
tHZ
t OH
tAC
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP3
READ
ACTIVE
NOP
NOP3
ACTIVE
NOP
tCKH
tCKS
COLUMN m2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
NOP
UNDEFINED
DON’T CARE
OUT
D
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT48LC4M32TG-10 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
MT48V8M16LFB4-8XT 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
MT48LC4M32LFB5-10ES:G 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90
MT48V4M32TG-8XT 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
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參數(shù)描述
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MT48H8M16LFF4-8 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-8 IT 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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