參數(shù)資料
型號(hào): MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝: 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁(yè)數(shù): 44/61頁(yè)
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PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
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128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
49
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Preliminary
Figure 35:
READ – Without Auto Precharge
Notes:
1. For this example, BL = 4, CL = 2, and the READ burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. A9 and A11 are “Don’t Care.”
ALL BANKS
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRCD
CAS Latency
tRC
tOH
DOUT m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
BANK
BANK(S)BANK
ROW
BANK
tHZ
tOH
DOUT m+3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
DOUT m+2
DOUT m+1
tCMH
tCMS
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
DISABLE AUTO PRECHARGE
SINGLE BANKS
COLUMN m2
tCKH
tCKS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DQMH, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
COMMAND
DON’T CARE
UNDEFINED
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PDF描述
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MT48H8M16LFF4-10 IT 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-8 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-8 IT 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869