參數(shù)資料
型號(hào): MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝: 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁數(shù): 43/61頁
文件大?。?/td> 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
48
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Preliminary
Figure 34:
Self Refresh Mode
Notes:
1. Each AUTO REFRESH command performs a REFRESH cycle. Back-to-back commands are not
required.
tCH
tCL
tCK
tRP
CKE
CLK
DQ
Enter self refresh mode
Precharge all
active banks
tXSR
CLK stable prior to exiting
self refresh mode
Exit self refresh mode
(Restart refresh time base)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
COMMAND
tCMH
tCMS
AUTO
REFRESH
PRECHARGE
NOP
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
BA0, BA1
BANK(S)
High-Z
tCKS
AH
AS
AUTO
REFRESH
> tRAS
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
tCKH
tCKS
DQMH, DQML
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
t
A0–A9, A11
(
)
(
)
(
)
(
)
ALL BANKS
SINGLE BANK
A10
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
T0
T1
T2
Tn + 1
To + 1
To + 2
(
)
(
)
(
)
(
)
DON’T CARE
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PDF描述
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MT48H8M16LFF4-8 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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