參數(shù)資料
型號： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 35/61頁
文件大?。?/td> 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
40
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Absolute Maximum Ratings
Preliminary
Table 12:
Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions
Notes: 5, 6, 8, 9, 11; notes appear on page 43
AC Characteristics
-8
-10
Units
Notes
Parameter
Symbol
MIN
MAX
MIN
MAX
Access time from CLK (pos. edge)
CL = 3
tAC (3)
6
7
ns
27
CL = 2
tAC (2)
8
ns
Address hold time
tAH
1
ns
Address setup time
tAS
2.5
ns
CLK high-level width
tCH
3
ns
CLK low-level width
tCL
3
ns
Clock cycle time
CL = 3
tCK (3)
8
100
9.6
100
ns
23
CL = 2
tCK (2)
9.6
100
12
100
ns
23
CKE hold time
tCKH
1
ns
CKE setup time
tCKS
1.5
2.5
ns
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM hold time
tCMH
0.5
ns
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM setup time
tCMS
1.5
2.5
ns
Data-in hold time
tDH
1
ns
Data-in setup time
tDS
2.5
ns
Data-out high-impedance time
CL = 3
tHZ (3)
7
ns
10
CL = 2
tHZ (2)
8
ns
10
Data-out low-impedance time
tLZ
1
ns
Data-out hold time (load)
tOH
2.5
ns
Data-out hold time (no load)
tOH
N
1.8
ns
28
ACTIVE to PRECHARGE command
tRAS
48
120,000
50
120,000
ns
ACTIVE to ACTIVE command period
tRC
80
100
ns
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
19
20
ns
Refresh period (4,096 rows)
tREF
64
ms
AUTO REFRESH period
tRFC
80
100
ns
PRECHARGE command period
tRP
19
20
ns
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b command
tRRD
16
20
ns
Transition time
tT
0.5
1.2
0.5
1.2
ns
7
WRITE recovery time
tWR (a)
1 CLK
+7ns
1 CLK
+5ns
–24
tWR (m)
15
ns
25
Exit SELF REFRESH to ACTIVE command
tXSR
80
100
ns
20
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PDF描述
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