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參數(shù)資料
| 型號： | MT48H8M16LFB4-8IT:JTR |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 25/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 2469K |
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PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
31
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Power-Down
Preliminary
BURST READ/SINGLE WRITE
The burst read/single write mode is entered by programming the write burst mode bit
(M9) in the mode register to a logic 1. In this mode, all WRITE commands result in the
access of a single column location (burst of one), regardless of the programmed burst
length. READ commands access columns according to the programmed burst length
and sequence, just as in the normal mode of operation (M9 = 0).
Figure 25:
Clock Suspend During WRITE Burst
Notes:
1. BL = 4 or greater, and DM is LOW.
Figure 26:
Clock Suspend During READ Burst
Notes:
1. CL = 2, BL = 4 or greater, and DQM is LOW.
DIN
COMMAND
ADDRESS
WRITE
BANK,
COL n
DIN
n
NOP
CLK
T2
T1
T4
T3
T5
T0
CKE
INTERNAL
CLOCK
NOP
DIN
n + 1
DIN
n + 2
DON’T CARE
CLK
DQ
DOUT
n
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL n
NOP
DOUT
n + 1
DOUT
n + 2
DOUT
n + 3
CKE
INTERNAL
CLOCK
NOP
DON’T CARE
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PDF描述 |
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