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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H64M16HR-3IT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 47/129頁 |
| 文件大?。?/td> | 9252K |
| 代理商： | MT47H64M16HR-3IT |
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Electrical Specifications – IDD Parameters
IDD Specifications and Conditions
Table 8: General IDD Parameters
IDD Parameters
-25E
-25
-3E
-3
-37E
Units
CL (IDD)
5
6
4
5
4
tCK
tRCD (IDD)
12.5
15
12
15
ns
tRC (IDD)
57.5
60
57
60
ns
tRRD (IDD) - x4/x8 (1KB)
7.5
ns
tRRD (IDD) - x16 (2KB)
10
ns
tCK (IDD)
2.5
3
3.75
ns
tRAS MIN (IDD)
45
ns
tRAS MAX (IDD)
70,000
ns
tRP (IDD)
12.5
15
12
15
ns
tRFC (IDD - 256Mb)
75
ns
tRFC (IDD - 512Mb)
105
ns
tRFC (IDD - 1Gb)
127.5
ns
tRFC (IDD - 2Gb)
195
ns
tFAW (IDD) - x4/x8 (1KB)
Defined by pattern in Table 9 (page 25)
ns
tFAW (IDD) - x16 (2KB)
Defined by pattern in Table 9 (page 25)
ns
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
Electrical Specifications – IDD Parameters
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
24
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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