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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H64M16HR-3IT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 29/129頁 |
| 文件大?。?/td> | 9252K |
| 代理商： | MT47H64M16HR-3IT |
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Figure 80: ODT Timing for Entering and Exiting Power-Down Mode
tANPD (3 tCKs)
First CKE latched LOW
tAXPD (8 tCKs)
First CKE latched HIGH
Synchronous
Applicable modes
Applicable timing parameters
Synchronous
Synchronous or
Asynchronous
Any mode except
self refresh mode
Any mode except
self refresh mode
Active power-down fast (synchronous)
Active power-down slow (asynchronous)
Precharge power-down (asynchronous)
tAOND/tAOFD (synchronous)
tAONPD/tAOFPD (asynchronous)
tAOND/tAOFD
CKE
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
ODT Timing
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
124
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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