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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H64M16HR-3IT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 118/129頁 |
| 文件大小： | 9252K |
| 代理商： | MT47H64M16HR-3IT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁當(dāng)前第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁
Figure 45: READ Latency
READ
NOP
Bank a,
Col n
CK
CK#
Command
Address
DQ
DQS, DQS#
DO
n
DO
n
T0
T1
T2
T3
T4n
T5n
T4
T5
CK
CK#
Command
READ
NOP
Address
Bank a,
Col n
RL = 3 (AL = 0, CL = 3)
DQ
DQS, DQS#
DO
n
T0
T1
T2
T3
T3n
T4n
T4
T5
CK
CK#
Command
READ
NOP
Address
Bank a,
Col n
RL = 4 (AL = 0, CL = 4)
DQ
DQS, DQS#
T0
T1
T2
T3
T3n
T4n
T4
T5
AL = 1
CL = 3
RL = 4 (AL = 1 + CL = 3)
Don’t Care
Transitioning Data
Notes: 1. DO n = data-out from column n.
2. BL = 4.
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following
DO n.
4. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
READ
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
89
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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