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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H128M8HQ-3AT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 43/129頁 |
| 文件大?。?/td> | 9252K |
| 代理商： | MT47H128M8HQ-3AT |
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Figure 10: 60-Ball FBGA (8mm x 10mm) – x4, x8
Ball A1 ID
1.2 MAX
0.25 MIN
8 ±0.15
Ball A1 ID
60X 0.45
Solder ball material:
Pb-free – (SAC305) SnAgCu
Pb – (Eutectic) SnPbAg
Dimensions apply to solder
balls post-reflow on 0.33
NSMD ball pads.
0.8 TYP
8 CTR
10 ±0.15
0.8 ±0.1
0.12 A
A
Seating
Plane
6.4 CTR
9 8 7
3 2 1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
Exposed
gold-plated pad
1.0mm (MAX) X
0.7mm (NOM)
nonconductive floating pad
Note: 1. All dimensions are in millimeters.
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
Packaging
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
20
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-3EAT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-3EIT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-3EL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-3IT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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