- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296642 > MT47H128M8HQ-3AT 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT47H128M8HQ-3AT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 114/129頁 |
| 文件大?。?/td> | 9252K |
| 代理商： | MT47H128M8HQ-3AT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁當前第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁
9. Issue PRECHARGE ALL command.
10. Issue two or more REFRESH commands.
11. Issue a LOAD MODE command to the MR with LOW to A8 to initialize device operation
(that is, to program operating parameters without resetting the DLL). To access the MR,
set BA0 and BA1 LOW; remaining MR bits must be set to desired settings. Mode Register
(MR) (page 71) for all MR requirements.
12. Issue a LOAD MODE command to the EMR to enable OCD default by setting bits E7, E8,
and E9 to “1,” and then setting all other desired parameters. To access the EMR, set BA0
LOW and BA1 HIGH (see (page 0 ) for all EMR requirements.
13. Issue a LOAD MODE command to the EMR to enable OCD exit by setting bits E7, E8, and
E9 to “0,” and then setting all other desired parameters. To access the extended mode
registers, EMR, set BA0 LOW and BA1 HIGH for all EMR requirements.
14. The DDR2 SDRAM is now initialized and ready for normal operation 200 clock cycles af-
ter the DLL RESET at Tf0.
15. DM represents DM for the x4, x8 configurations and UDM, LDM for the x16 configura-
tion; DQS represents DQS, DQS#, UDQS, UDQS#, LDQS, LDQS#, RDQS, RDQS# for the
appropriate configuration (x4, x8, x16); DQ represents DQ0–DQ3 for x4, DQ–DQ7 for x8
and DQ0–DQ15 for x16.
16. A10 = PRECHARGE ALL, CODE = desired values for mode registers (bank addresses are
required to be decoded).
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
Initialization
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
85
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2009 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-3EAT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-3EIT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-3EL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-3IT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。